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        應用

        開關電源

        在自主研發的同時,公司加強與企業、大學及科研院所的合作,大力開發具有自主知識產權的關鍵技術,形成自主的核心技術和專有技術,加快科技成果產業化步伐。公司與西安電子科技大學等知名院校建立產學研合作關系,掌握了一批具有自主知識產權的核心技術,有力地保證了公司研發活動順利開展,為實現半導體系列產品技術領先戰略提供了技術儲備和支撐。

         

        電路拓撲結構

         

        捷捷微

         

        捷捷微


        系統示意圖
         

        捷捷微
        PFC(BOOST)

        系統概述
        BOOST電路:即升壓變換器,通過Q1的導通對L儲能,Q1關斷后L釋放儲能并疊加輸入電壓來進行升壓,APFC電路使用該種電路拓撲。D1的反向恢復會對Q1產生較大影響應加以考慮。MOS管關閉時,反向電壓峰值較高。需要BVDSS(600V-650V),MOS管與感性負載鏈接,EAS能力要求高。異常情況下,電路要求MOS管抗dV/dt能力高。能效要求,MOS管損耗低。考核雷擊浪涌。

         



        捷捷微
        LLC
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        系統概述
        諧振式半橋電源適用于相對較大容量的電源應用,是150W至1000kW應用的理想選擇。諧振式半橋電源因采用零電壓開關(ZVS)而實現了非常高的工作效率。開關頻率高,需要MOS產品低柵極電荷,實現快速開關,降低開關損耗。工作電流大,需要MOS產品低Rds(on)設計,降低導通損耗;EMI要求高,需要MOS產品高EMI抗干擾能力;零電壓開關,需要體二極管反向恢復時間短。J捷捷微電子也提供具有高速快恢復二極管(FRD)的MutliEPISJ-MOS,且二極管具有短的反向恢復時間(trr),適用于當再生電流流經主體二極管時會導致恢復損耗的應用。

         

        捷捷微
        Flyback

         

        系統概述
        反激式轉換器包括很少部件,用于150瓦以下的電源應用,比如筆記本電腦和手機電源非常適用于反激式電路。MOS關閉時,交換節點電壓峰值高。MOS與感性負載連接,EAS能力要求高。異常情況下,電路要求MOS管抗dv/dt能力高。能效要求,MOS管損耗要求高。考核雷擊浪涌。捷捷微電子提供650V/700V/730V MOSFET。                      

         

         

        捷捷微
        Synchronous Rectification

         

        系統概述
        同步整流控制方式是利用MOS管導通后的超低導通電阻來改善二極管整流的正向導通壓降損耗。我們的SGTMOS可提供30V~150V的同步整流MOS管。在同步整流MOS管的選型中,可以依次以BV、Rdson、Qg、Qrr作為參考去篩選適配的MOS管,我們為同步整流應用專門提供了高Vth的SGTMOS,并且優化了Vth的一致性,使器件更加適合并聯使用,具有負載電流更平滑,抗短路能力更強的優點。

         

         

        捷捷微
        Forward


         

        系統概述
        正激式開關電源在硬開關應用中有單管正激和雙管正激兩種,對于單管正激,由于變壓器需要增加額外的磁復位繞組,在主開關MOS管關斷時,MOS管會承受兩倍于輸入電壓的應力,因此該類拓撲應用中我們推薦高BV的MOS管,以應對電壓變化帶來的沖擊。對于雙管正激,它是非常穩定的拓撲結構,工作頻率不高,也不會出現過大的沖擊電流,對MOS管的要求相對寬松,通常與PFC搭配用在200W~800W的適配器、工業電源、電腦電源或者環境相對惡劣又對穩定性要求高的場合。
         

        股票簡稱(Stock Name):捷捷微電

        股票代碼(Stock Code):300623

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